特許
J-GLOBAL ID：200903058802826099

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置

発明者：
野村 健二

野村 健二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193110
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039782
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるPbプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。【解決手段】少なくとも下部電極3とPbを含む強誘電体膜5との間に、Irx Pb或いはIrx Tiのいずれかからなる層間膜4を設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも下部電極とPbを含む強誘電体膜との間に、Irx Pb或いはIrx Tiのいずれかからなる層間膜を設けたことを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (1件)：
H01L27/105
FI (1件)：
H01L27/10 444B
Fターム (16件)：
5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA21 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR33
引用特許：
審査官引用 (7件)
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