特許
J-GLOBAL ID：200903058831959685

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
名取 完治

名取 完治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-035851
公開番号（公開出願番号）：特開2003-242790
出願日： 2002年02月13日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリに供給される駆動電圧に生ずるリップルを低減すること。【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、電源電圧Vddよりも高い出力電圧を生成するチャージポンプ型昇圧回路10を含む。この昇圧回路10の出力電圧に基づいて、不揮発性メモリセル100が駆動される。昇圧回路10は、クロック信号CLK,/CLKに従ってトランジスタT1〜T3をスイッチングして、電源電圧Vddに基づいて複数のキャパシタC1,C2を充電させて出力電圧をVOUTを生成する。この出力電圧は比較器30にて基準電圧VREFと比較される。可変周波数発振器40は、比較器30の出力電圧VCに基づいて、クロック信号CLK,/CLKの周波数f0を可変する。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリセルを行方向及び列方向に複数配列してなるメモリセルアレイ領域と、クロック信号に従って、電源電圧に基づいて複数のキャパシタを充電させて、前記電源電圧よりも高い出力電圧を生成するチャージポンプ型昇圧回路と、前記出力電圧に基づいて、前記メモリセルアレイ領域に配置された前記複数の不揮発性メモリセルを駆動する駆動部と、前記出力電圧と基準電圧とを比較する比較器と、前記比較器の出力に基づいて、前記クロック信号の周波数を可変する可変周波数発振器と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (7件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (7件)：
H01L 27/10 481 ,  G11C 17/00 632 C ,  G11C 17/00 632 A ,  G11C 17/00 632 D ,  G11C 17/00 622 Z ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (25件)：
5B025AA01 ,  5B025AC04 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08 ,  5F083EP18 ,  5F083EP28 ,  5F083EP32 ,  5F083EP35 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083ER30 ,  5F083GA12 ,  5F083JA04 ,  5F083KA03 ,  5F083KA06 ,  5F083KA08 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F101BA45 ,  5F101BB03 ,  5F101BD22 ,  5F101BE01 ,  5F101BE07 ,  5F101BE14
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM