特許
J-GLOBAL ID：200903059125369189
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
細田 益稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-032307
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234503
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】転位密度を低減し、高い発光効率を有する半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子20を構成する下地層13はAlを含み、転位密度が1011/cm2以下の窒化物半導体から構成する。また、n型導電層14及びp型導電層17を前記窒化物半導体よりもAlの少ない含有量で、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。さらに、発光層15を同じく前記窒化物半導体よりもAlの少ない含有量で、転位密度が1010/cm2以下の窒化物半導体から構成する。
請求項（抜粋）：
所定の基板上において、窒化物半導体からなる下地層と、窒化物半導体層群を含む発光素子構造とを具える半導体発光素子であって、前記下地層を構成する前記窒化物半導体は、少なくともAlを含むとともに、転位密度が1011/cm2以下であり、前記発光素子構造を構成する前記窒化物半導体層群は、前記下地層を構成する前記窒化物半導体よりも少ない含有量でAlを含むとともに、転位密度が1×1010/cm2 以下であることを特徴とする、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00
, H01S 5/323 610
H01L 33/00 C
, H01S 5/323 610
5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F073AA13
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA35
, 5F073EA29
