特許

J-GLOBAL ID：200903059148830312

GaN系半導体発光素子およびランプ

発明者： 大澤 弘 ,  篠原 裕直
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096340
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273659
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】発光特性、及び光取り出し効率に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法およびランプを提供する。【解決手段】凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を有するGaN系半導体発光素子の製造方法において、前記バッファー層を揺動式マグネトロン磁気回路を有するスパッタ装置を用いたスパッタ法により成膜する。また、前記バッファー層をAlN、ZnO、Mg、Hfで形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

凹凸形状が施された透光性を有する基板上に、少なくともバッファー層、n型半導体層、発光層、p型半導体層を有するGaN系半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファー層をスパッタ法により成膜することを特徴とするGaN系半導体半導体発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (6件)：

5F041AA05 ,  5F041CA08 ,  5F041CA10 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2836687号公報
  
• 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-218384   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-215462   出願人：豊田合成株式会社
• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-168773   出願人：豊田合成株式会社
• マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-291097   出願人：信越化学工業株式会社
• 面発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-057838   出願人：アーベル・システムズ株式会社