特許

J-GLOBAL ID：200903059206236019

半導体レーザの製造方法

発明者： 長沼 香 ,  伊藤 哲 ,  今西 大介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-366819
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135933
出願日： 2003年10月28日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】 熱放出性に優れた半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 複数の素子を並設してなるレーザダイオードバー11を第1ヒートシンク12および第2ヒートシンク13間に挟持させて半導体レーザの組み立てを行う。固定治具18によりレーザダイオードバー11の両端部分を保持したのち、レーザダイオードバー11と第1ヒートシンク12および第2ヒートシンク13との相対的な位置合わせを行う。そののち、レーザダイオードバー11と第1ヒートシンク12および第2ヒートシンク13とを同時に加熱し圧着させて、接合させる。そののち、レーザダイオードバー11のはみ出し部分をヒートシンク幅に合わせて切除する。互いに位置ずれすることなく、レーザダイオードバー11の湾曲形状が矯正され、2つの接合面を実質的に平行にすることができると共に互いの密着性が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の素子を並設してなるレーザダイオードバーを一対のヒートシンク間に挟持させて半導体レーザの組み立てを行う半導体レーザの製造方法であって、 前記レーザダイオードバーを保持する工程と、 前記レーザダイオードバーと前記ヒートシンクとの相対的な位置合わせを行う工程と、 前記レーザダイオードバーと前記ヒートシンクとを同時に加熱し圧着することにより互いに接合させる工程と、

IPC (1件)：

H01S5/024

FI (1件)：

H01S5/024

Fターム (5件)：

5F073AB02 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F073FA23 ,  5F073FA30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レ-ザダイオ-ドパッケ-ジング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-125243   出願人：カッティングエッジオプトロニクス,インコーポレイテッド

審査官引用 (6件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-115685   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 半導体レーザダイオード装置およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平10-516273   出願人：コンパニイ・アンデュストリエル・デ・ラゼール・セーイーエルアーエス
• 特開平3-006875
  
• 半導体バー切断によるレーザ製造のための装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-251155   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 半導体素子及びその製造方法、並びにヒートシンク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325921   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-006875