特許
J-GLOBAL ID：200903059248356561

プラズマCVD方法及び装置

発明者：
菊池 正志

菊池 正志 について

, 
神保 洋介

神保 洋介 について

, 
若松 貞次

若松 貞次 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (3件)： 浜野 孝雄 ,  森田 哲二 ,  平井 輝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315714
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128446
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマCVD方法及び装置を提供する。【解決手段】 基板ホルダーに対向する対向電極を、電極と基板ホルダーとの距離が中央部から周辺部へ向って連続的に変化するような凹面形状に形成し、電極の複数の部位に高周波電力を印加するように構成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
真空槽内に、基板ホルダーと電極とを対向させて配置し、前記真空槽内に成膜ガスを導入すると共に前記電極に高周波電力を印加することにより導入した成膜ガスをプラズマ化して、前記基板ホルダーに載置した基板上に成膜するようにしたプラズマCVD装置において、 前記電極の複数の部位に高周波電力を印加する一つ以上の高周波電源を設け、また 前記電極と前記基板ホルダーとの距離が少なくとも周辺部において連続的に変化するような形状に前記電極の前記基板ホルダーに対向する面を構成したこと を特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  H01L21/31 C
Fターム (33件)：
4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA16 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AE19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH13 ,  5F045EK07 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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