特許
J-GLOBAL ID：200903059284061896

固体撮像装置およびその製造方法

発明者：
林 利彦

林 利彦 について

, 
工藤 義治

工藤 義治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-190604
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200462
出願日： 2008年07月24日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：
【課題】遮光膜を有する固体撮像装置において、配線層の薄膜化を達成しつつ、黒レベル基準画素上の遮光性を充分確保することを可能とする。【解決手段】受光画素部12と黒レベル基準画素部13とが形成された半導体基板11上に設けられた多層配線部14を有し、多層配線部14は、半導体基板11上に形成された絶縁層(層間絶縁膜40)と、絶縁層中に複数層に形成された金属配線層20とからなり、黒レベル基準画素部13上の金属配線層20のうちの一つの第2金属配線層22の第2金属配線32間上に形成された第1遮光膜71と、第1遮光膜71に接続していて第2金属配線層22上の第2金属配線層23で形成された第2遮光膜72とを有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成された受光画素部と、 前記半導体基板に形成された黒レベル基準画素部と、 前記受光画素部および黒レベル基準画素部を含む前記半導体基板上に設けられた多層配線部を有し、 前記多層配線部は、 前記半導体基板上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層中に複数層に形成された金属配線層とからなり、 前記黒レベル基準画素部上の前記金属配線層のうちの一つの第1金属配線層の第1金属配線間上に形成された第1遮光膜と、 前記第1遮光膜に接続していて前記第1金属配線層上の第2金属配線層で形成された第2遮光膜とを有する 固体撮像装置。
IPC (3件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 U
Fターム (16件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118GB03 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB17 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024AX01 ,  5C024CY47 ,  5C024GX02 ,  5C024GZ36
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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