イメージセンサー及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-245034
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093687
出願日： 2005年08月25日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】イメージセンサー及びその製造方法が開示される。【解決手段】遮光領域での光遮断効果が向上されるイメージセンサー及びその製造方法において、前記イメージセンサーは、基板表面の下に具備されるフォトダイオード、前記基板上に形成される層間絶縁膜、前記層間絶縁膜の内部に具備される金属層パターン、前記層間絶縁膜上に前記金属層パターンと少なくとも一部分が重畳されるように位置するダミーパターン、及び前記ダミーパターンを囲むように具備され、前記フォトダイオードの少なくとも一部分が重畳されるように位置する上部遮光膜パターンを含む。前記イメージセンサーは、光遮断効果が向上され基準信号をより正確に出力することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板表面の下に具備されるフォトダイオードと、前記基板上に形成される層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の内部に具備される金属層パターンと、前記層間絶縁膜上に前記金属層パターンと少なくとも一部分が重畳されるように位置するダミーパターンと、前記ダミーパターンを囲むように具備され、前記フォトダイオードの少なくとも一部分が重畳されるように位置する上部遮光膜パターンを含むことを特徴とするイメージセンサー。

IPC (2件)：

H01L 27/14 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 D , H04N5/335 S , H04N5/335 U

Fターム (22件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA09 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118CA32 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118GB07 , 4M118GB09 , 4M118GB11 , 4M118GB15 , 5C024AX00 , 5C024CX32 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GX07 , 5C024GY01 , 5C024GY31 , 5C024GZ36

引用特許：

審査官引用 (5件)

増幅型固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-046251 出願人：松下電器産業株式会社
光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-136914 出願人：三洋電機株式会社
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-087127 出願人：セイコーエプソン株式会社

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