半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-016365
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218060
出願日： 2002年01月25日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】所望の膜厚を有しつつも低抵抗のシリサイド層を、安定的に製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板11上に、下層側から表面にかけてGeの組成比が減少するようにSi<SB>x</SB>(Ge<SB>y</SB>C<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>層(ただし、0<x<1,0<y≦1)12を形成する。次に、Si<SB>x</SB>(Ge<SB>y</SB>C<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>層12上にSi層13を形成し、さらに金属層14を形成する。その後、熱処理を行うことで、Si層13と金属層14とを反応させて金属シリサイド層15を形成する。この際、Si層13を完全に金属シリサイド化させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、下層側から表面に掛けてGeの組成比が減少するようにSi<SB>x</SB>(Ge<SB>y</SB>C<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>層(ただし、0<x<1,0<y≦1)を形成する工程と、前記Si<SB>x</SB>(Ge<SB>y</SB>C<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>層上にSi層を形成する工程と、前記Si層上に金属層を形成する工程と、熱処理を行うことで、前記金属層と前記Si層とを反応させて金属シリサイド層を形成する工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/732 , H01L 29/737 , H01L 29/78

FI (8件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/205 , H01L 29/72 S , H01L 29/72 H , H01L 27/08 321 F , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 301 G

Fターム (89件)：

4M104AA01 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB25 , 4M104BB36 , 4M104BB38 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD80 , 4M104DD84 , 4M104FF14 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 5F003BB04 , 5F003BB05 , 5F003BB06 , 5F003BB07 , 5F003BB08 , 5F003BE07 , 5F003BE08 , 5F003BF06 , 5F003BH06 , 5F003BH07 , 5F003BH08 , 5F003BM01 , 5F003BP31 , 5F003BP41 , 5F003BZ02 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB30 , 5F045AC01 , 5F045CA02 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F045DA58 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA14 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB13 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BE03 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F140AA10 , 5F140BA01 , 5F140BD05 , 5F140BF04 , 5F140BF14 , 5F140BF21 , 5F140BF28 , 5F140BF32 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG34 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH15 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ14 , 5F140BJ18 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK12 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CE07 , 5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体集積回路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326973 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-316268 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-094986 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (6件)

半導体集積回路及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-326973 出願人：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-316268 出願人：三菱電機株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-094986 出願人：株式会社日立製作所

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