特許
J-GLOBAL ID：200903072890800056
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130412
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024194
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 ソース領域/ドレイン領域を形成するためのイオン注入時のチャネリングを抑止し、低抵抗で浅い不純物拡散領域が形成され、短チャネル効果に対して有利な微細MOSトランジスタを有す半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ソース領域/ドレイン領域21、22上にSiGeもしくはSiC膜18などを選択成長させたのち、シリコン19を選択成長させる。CやGeの含有率を所定濃度以上とすることによりシリコン膜成長時に、転位密度の高い単結晶もしくは多結晶状態での成長するようになる。ソース領域/ドレイン領域上は単結晶ではないか、たとえ単結晶であっても転位密度が高いのでその上に成膜されるシリコン膜も転位密度の大きい単結晶あるいは多結晶となる。この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。
請求項（抜粋）：
シリコン半導体基板主面上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極形成後、前記半導体基板主面の露出領域上にのみゲルマニウムを含有する導電性膜もしくは炭化シリコンからなる導電性膜を選択的に堆積する工程と、前記領域上の前記導電性膜上にシリコン膜を堆積する工程と、前記ゲート電極をマスクとし、前記導電性膜及び前記導電性膜上に堆積された前記シリコン膜を介して前記半導体基板主面に不純物を注入、拡散し前記半導体基板主面にソース領域/ドレイン領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/265
, H01L 21/28 301
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 S
, H01L 21/28 301 A
, H01L 21/265 H
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 L
