特許
J-GLOBAL ID：200903059403542806

半導体発光素子の製造方法

発明者：
井ノ口 ゆかり

井ノ口 ゆかり について

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梅田 浩

梅田 浩 について

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倉橋 孝尚

倉橋 孝尚 について

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渡邊 信幸

渡邊 信幸 について

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村上 哲朗

村上 哲朗 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  森川 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-235973
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156950
出願日： 2005年08月16日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】 ウェハ全面に均一に、簡易かつ高い歩留まりでウェハボンディングを行うことができる発光ダイオードの製造方法を提供すること。【解決手段】 発光層7を有する第1のウェハ22の表面に、発光層7からの光に対して透明なGaP基板である第2のウェハ23を配置する。締め付け面圧5〜500kg/cm2の範囲において、応力緩和率1.5〜3.0%を有する緩衝膜24を介して、第1および第2のウェハ22,23の接触面に圧縮力を作用させると共に、加熱炉で加熱する。第1および第2のウェハ22,23を、接合不良を生じることなく全面に亘って接合することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む少なくとも1つの半導体層が形成された第1のウェハの表面に、上記発光層の発光波長に対して透明な第2のウェハを配置する工程と、 上記第1のウェハおよび第2のウェハのうちの少なくとも一方に、この第1のウェハおよび第2のウェハの接合不良を防止する接合不良防止構造を設ける工程と、 上記第1のウェハと第2のウェハとが互いに接する接触面に圧縮力を作用させると共に、上記接触面を加熱する工程と を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 B
Fターム (9件)：
5F041AA41 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA99
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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