特許
J-GLOBAL ID：200903059472982257

マイクロ波導入器、プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置

発明者：
イヴァン ペトロフ ガナシェフ

イヴァン ペトロフ ガナシェフ について

, 
島谷 幸平

島谷 幸平 について


出願人/特許権者：
芝浦メカトロニクス株式会社

芝浦メカトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-380607
公開番号（公開出願番号）：特開2006-186876
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 プラズマ密度に依存しないインピーダンスを有するマイクロ波導入器、これを備えたプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】 プラズマを生成する空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、前記チャンバの壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する誘電体の導波体を備え、前記導波体は、先端に向けて直径が小さくなる略円錐台状であることを特徴とするマイクロ波導入器を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
プラズマを生成する空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、 前記チャンバの壁面から前記プラズマを生成する空間に向けて突出する誘電体の導波体を備え、 前記導波体は、先端に向けて直径が小さくなる略円錐台状であることを特徴とするマイクロ波導入器。
IPC (3件)：
H01Q 13/24 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
H01Q13/24 ,  H05H1/46 B ,  H01L21/302 101D
Fターム (12件)：
5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB29 ,  5J045AA01 ,  5J045AA05 ,  5J045BA02 ,  5J045BA03 ,  5J045DA18 ,  5J045EA10 ,  5J045HA01 ,  5J045LA03 ,  5J045NA00
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (2件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-081892   出願人：株式会社東芝
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-349802   出願人：東京エレクトロン株式会社, 高橋応明

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