マイクロダイヤモンド電極製造方法

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西村竜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-184243
公開番号（公開出願番号）：特開2006-010357
出願日： 2004年06月22日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

【課題】ダイヤモンドを用いたマイクロ電極42pやマイク電極42pを複数備えたアレイ電極を製造する場合に、電極表面を高精度に製造可能とすることで、計測精度などに優れた測定を可能とするマイクロダイヤモンド電極42を得る方法を提供する。【解決手段】シリコン等の基板411上にダイヤモンド薄膜42を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜42をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極42pを設けるエッチング工程とを備えるようにする。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

基板上にダイヤモンド薄膜を成膜する成膜工程と、前記ダイヤモンド薄膜をエッチングすることで所定の箇所を除去しマイクロ電極を設けるエッチング工程とを備えたことを特徴とするマイクロダイヤモンド電極製造方法。

IPC (2件)：

G01N 27/30 , G01N 27/416

FI (3件)：

G01N27/30 B , G01N27/30 F , G01N27/46 316Z

Fターム (9件)：

4K030AA07 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030BB03 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030FA01 , 4K030LA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-111811 出願人：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平

審査官引用 (10件)

ケミカルドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-263696 出願人：芝浦メカトロニクス株式会社
ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-111811 出願人：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平
電子放出素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-072733 出願人：松下電器産業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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