III族窒化物化合物半導体積層構造体およびその成長方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-190786
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021745
出願日： 2006年07月11日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】MBEやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。【解決手段】ドーパント元素のみを供給するプロセスと、III族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含む、ラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたIII族窒化物化合物半導体層の成長方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒素を、プラズマ、ラジカル、原子のうちのいずれかの状態で供給してIII族元素と反応させることにより成膜させる手法を用いたIII族窒化物化合物半導体層の成長方法において、ドーパント元素のみを供給するプロセスと、III族元素を含む化合物と窒素原料を同時に供給するプロセスを交互に繰り返すことからなる第一の工程を含むIII族窒化物化合物半導体層の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 , H01L 33/00 , C23C 14/06

FI (4件)：

H01L21/203 S , H01L33/00 C , H01L21/203 M , C23C14/06 A

Fターム (30件)：

4K029AA07 , 4K029AA24 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA02 , 4K029CA05 , 4K029CA06 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K029GA01 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA66 , 5F041CA67 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103BB04 , 5F103DD01 , 5F103DD02 , 5F103KK01 , 5F103KK02 , 5F103KK04 , 5F103KK10 , 5F103LL01 , 5F103NN10

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭60-39819号公報

審査官引用 (6件)

通信システム用機器及び半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-350923 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-161719
半導体レーザアレイとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-290542 出願人：古河電気工業株式会社

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