特許
J-GLOBAL ID：200903059688175003
突起電極を有する半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016103
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027824
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】 小型化に適した半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子の能動層を被覆して保護層が形成され、保護層には半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部が形成されている。開口部の内部には素子電極を被覆するバリア層と、バリア層を被覆した拡散防止層と、拡散防止層上に設けられた突起電極が形成される。突起電極は好ましくはバリア層、素子電極よりも硬度の低い材料が用いられる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の能動面を被覆して形成され、前記半導体素子の能動面に設けられた素子電極を臨ませた開口部を有する保護層と、前記開口部の内部において前記素子電極を被覆するバリア層と、前記バリア層を被覆した拡散防止層と、前記拡散防止層上に設けられた突起電極とを有することを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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