特許
J-GLOBAL ID:200903059731136351

半導体装置およびその外部リード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岩佐 義幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-161779
公開番号(公開出願番号):特開平7-078930
出願日: 1994年07月14日
公開日(公表日): 1995年03月20日
要約:
【要約】【目的】 多ピン化に伴い、外部リードピッチがファイン化されると半田ブリッジにより実装歩留が低下するため、ファイン化せずに多ピン化を実現し、実装歩留を向上させる。【構成】 絶縁基板11には金属配線層12で内部および外部リードパターンを形成し、同一面から突出した外部リードの実装時における回路基板との接続部位には同一直線上に少なくとも2箇所以上の電気的に独立分離された接続部13および14を設ける。接続部を2箇所設けた場合は、同一外部リードピッチでは2倍のピン数を、同一ピン数では2倍の外部リードピッチを実現でき、ファイン化に伴う実装時の半田ブリッジ不良を防止することができる。
請求項(抜粋):
絶縁樹脂基板上に金属薄膜で形成した複数の外部リードとを有する、表面実装タイプの樹脂封止型半導体装置の外部リードにおいて、実装時における回路基板との接続部位に、2列以上の直線上に配列され電気的に分解された接続部を有することを特徴とする外部リード。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H05K 1/18
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る