特許

J-GLOBAL ID：200903059793888171

高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  前田 一彦 ,  小森谷 治彦 ,  大谷 充孝
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-155103
公開番号（公開出願番号）：特開2006-070244
出願日： 2005年05月27日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる方法、その為の保護膜およびその材料を提供する。【解決手段】 式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物およびそれを含む保護膜を用いる。(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基、R3は炭素数1〜12のアルキレン基又はアルキリジン基、R4、R5は炭素数1〜12のアルキレン基。a,b1,b2は0<a<1、0≦b1<1、0≦b2<1、0<b1+b2<1、0<a+b1+b2≦1の範囲である。nは1又は2。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。

IPC (2件)：

C08F 220/28 ,  G03F 7/11

FI (2件)：

C08F220/28 ,  G03F7/11 501

Fターム (26件)：

2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA02 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA15R ,  4J100BA16Q ,  4J100BA16R ,  4J100BB18P ,  4J100BC02Q ,  4J100BC02R ,  4J100BC04P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA39 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開昭62-62520号公報
  
• 特開昭62-62521号公報
  
• 特開昭60-38821号公報
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-250201   出願人：旭硝子株式会社
• 反射防止膜材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088202   出願人：信越化学工業株式会社
• 特許第2803549号公報
  

審査官引用 (3件)

• 含フッ素化合物とその高分子化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-279778   出願人：セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393302   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社
• 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393328   出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社, セントラル硝子株式会社