特許
J-GLOBAL ID：200903059842694507
パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-241107
公開番号（公開出願番号）：特開2004-078033
出願日： 2002年08月21日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】被覆形成剤を用いたパターンの微細化において、加熱処理時における被覆形成剤の熱収縮率を格段に向上させ、良好なプロフィルおよび現在の半導体デバイスにおける要求特性を備えた微細パターンを得ることができる被覆形成剤、およびこれを用いた微細パターン形成方法を提供する。【解決手段】ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、ポリビニルアルコールと、該ポリビニルアルコール以外の水溶性ポリマーとの共重合体または混合物を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤、および該被覆形成剤を用いた微細パターンの形成方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ホトレジストパターンを有する基板上に被覆され、その熱収縮作用を利用してホトレジストパターン間隔を狭小せしめて微細パターンを形成するために使用される被覆形成剤であって、ポリビニルアルコールと、該ポリビニルアルコール以外の水溶性ポリマーとの共重合体または混合物を含有することを特徴とするパターン微細化用被覆形成剤。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/40 511
, H01L21/30 570
2H096AA25
, 2H096AA27
, 2H096AA28
, 2H096HA05
, 2H096LA30
, 5F046LA18
