半導体集積回路装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-261614
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068740
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】ボンディングパッドとその下部の絶縁膜との剥離を防止する。【解決手段】酸化シリコン膜19、20に形成された開口部21B内において、Al合金膜を主導電層とする配線18BおよびボンディングパッドBPに比べて機械的強度の強いWを主成分とする積層膜22Bを形成し、配線18BとボンディングパッドBPとの間に積層膜22Bが介在する形状とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に配置された第1導体片と、前記第1絶縁膜および前記第1導体片上に配置され、前記第1導体片上にて第1開口部を有する第2絶縁膜と、前記第1開口部の内部に形成され、前記第1開口部の平面中央部において前記第1開口部の深さより小さい膜厚を有し、前記第1導体片と電気的に接続する第2導体片と、前記第2導体片上に配置され、前記第2導体片と接触する第3導体片と、前記第3導体片に接続されたワイヤとを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/88 T , H01L 21/88 R

Fターム (53件)：

5F033HH04 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033LL04 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ58 , 5F033QQ65 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033VV07 , 5F033XX01 , 5F033XX13 , 5F033XX15 , 5F033XX19 , 5F044EE04 , 5F044EE06 , 5F044EE12 , 5F044EE21

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-181873 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-371081 出願人：日本電気株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-356990 出願人：株式会社日立製作所

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