特許
J-GLOBAL ID:200903060040496287

半導体素子搭載用基板および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 平田 忠雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-120454
公開番号(公開出願番号):特開平10-313072
出願日: 1997年05月12日
公開日(公表日): 1998年11月24日
要約:
【要約】【課題】 工程数が少なく、簡潔な構造の半導体素子搭載用基板およびその基板を使用した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体素子8の電極9に対して電気的に接続させるためのパッド部3と外部接続端子10を形成するためのランド部5とをパターンのなかに含む配線パターン2を、絶縁フィルム1上に形成し、さらに、この上に配線パターン2を覆うようにして加熱接着性の異方性導電接着層7を積層一体化させ、これにより半導体素子搭載用基板を構成する。この半導体素子搭載用基板の異方性導電接着層7の上に半導体素子8を載置し、これを加熱加圧することによって両者を接着一体化すると同時に、配線パターン2のパッド部3と半導体素子8の電極9間を異方性導電接着層7により電気的に接続し、これによって半導体装置を構成する。
請求項(抜粋):
半導体素子の電極に対して電気的に接続されるパッド部とはんだボール等の外部接続端子に接続されるランド部を含む配線パターンを表面に形成され且つ前記ランド部が位置する前記外部接続端子を設ける貫通孔を形成された可撓性の配線パターン付き絶縁フィルムと、前記配線パターンを覆うようにして前記配線パターン付き絶縁フィルムに対し一体に積層された異方性導電接着層とから構成したことを特徴とする半導体素子搭載用基板。
IPC (3件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/603
FI (5件):
H01L 23/12 N ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/603 A ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 Q
引用特許:
審査官引用 (6件)
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