特許
J-GLOBAL ID：200903042787188613
半導体集積回路の電極構造およびそのパッケージ形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199535
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 ICチップの周辺部に設けられた接続電極をチップの全面に格子状に配列した接続電極に、安価で、かつ、最短の配線距離で変換するための半導体集積回路の電極構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】 ICチップ1の周辺部に配置された周辺電極7の一辺あたりの個数が、iを整数としたときに2i(2i-1)の関数で示すことができ、かつ、この電極を等間隔に、ICチップ1の正方形のチップの4辺に同数づつ配置してなり、外部接続電極がアルミニウムで形成されたチップに、無電解めつきでニッケルと金を被膜形成したのちに、熱圧着による金属接合により、周辺電極7と、周辺電極を格子状電極に再配列する配列変換基板2とを電気的に接続し、配列変換基板2とICチップ1との隙間に接着樹脂3を充填する。
請求項（抜粋）：
外部接続電極が素子の周辺部に配置された半導体素子の周辺電極と、前記周辺電極を格子状電極に再配列する電極配列変換用の配線基板とを備え、前記配線基板の配列変換した格子状電極ピッチが、前記半導体素子の周辺電極ピッチの整数倍となるように構成したことを特徴とする半導体集積回路の電極構造。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 21/321
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/60 311 R
, H01L 21/92 602 N
, H01L 21/92 602 L
, H01L 23/12 L
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (11件)
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