特許
J-GLOBAL ID：200903060078528387
半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-214519
公開番号（公開出願番号）：特開2006-324690
出願日： 2006年08月07日
公開日（公表日）： 2006年11月30日
要約：
【課題】 半導体レーザ、半導体発光素子、及び、その製造方法に関し、ナイトライド系化合物半導体を用いた短波長半導体レーザのしきい値電流密度を低減する。【解決手段】 活性層4として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置を活性層4の中心位置よりp型クラッド層6側にずらす。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、活性層として多重量子井戸構造を用いると共に、放射光強度分布の最大位置が前記活性層の中心位置よりp型クラッド層側にずれていることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AA01
, 5F173AF05
, 5F173AF55
, 5F173AH47
, 5F173AK08
, 5F173AP06
, 5F173AP33
, 5F173AR23
出願人引用 (3件)
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青色発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-114543
出願人：日亜化学工業株式会社
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青色発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-114544
出願人：日亜化学工業株式会社
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3族窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-227890
出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所, 赤崎勇, 天野浩
審査官引用 (7件)
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