特許
J-GLOBAL ID：200903060111501538

電気信号測定用治具およびその製造方法

発明者：
倉持 悟

倉持 悟 について

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中條 茂樹

中條 茂樹 について

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町田 一道

町田 一道 について

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石田 友弘

石田 友弘 について

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坪井 光明

坪井 光明 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について

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日本電子材料株式会社

日本電子材料株式会社 について


代理人 (2件)： 米田 潤三 ,  皿田 秀夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-087173
公開番号（公開出願番号）：特開2007-263650
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】電子装置の検査を確実に効率良く行なうための電気信号測定用治具と、このような電気信号測定用治具を簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】電気信号測定用治具を、シリコン基板と、このシリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、スルーホール内壁面を含むシリコン基板の裏面の所定部位に形成された二酸化珪素膜と、シリコン基板の表面の所定部位に形成された表面側二酸化珪素層と、この表面側二酸化珪素層に表面を露出した状態で埋設された複数の電気信号測定用パッドと、スルーホール内の二酸化珪素膜上に形成された導電材料層と、各電気信号測定用パッドと各スルーホール内の前記導電材料層とを接続するように表面側二酸化珪素層に表面を露出した状態で埋設された複数の配線と、シリコン基板の裏面に配設され各導電材料層と接続された複数の電極パッドと、を備えたものとし、シリコン基板は厚みを100〜600μmの範囲とし、スルーホールは内径を10〜100μmの範囲とした。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板に穿設された複数のスルーホールと、該スルーホール内壁面を含む前記シリコン基板の裏面の所定部位に形成された二酸化珪素膜と、 前記シリコン基板の表面の所定部位に形成された表面側二酸化珪素層と、 該表面側二酸化珪素層に表面を露出した状態で埋設された複数の電気信号測定用パッドと、 前記スルーホール内の二酸化珪素膜上に形成された導電材料層と、 各電気信号測定用パッドと各スルーホール内の前記導電材料層とを接続するように前記表面側二酸化珪素層に表面を露出した状態で埋設された複数の配線と、 前記シリコン基板の裏面に配設され各導電材料層と接続された複数の電極パッドと、 を備え、前記シリコン基板の厚みは100〜600μmの範囲であり、前記スルーホールの内径は10〜100μmの範囲であることを特徴とする電気信号測定用治具。
IPC (2件)：
G01R 1/073 ,  G01R 31/26
FI (2件)：
G01R1/073 F ,  G01R31/26 J
Fターム (11件)：
2G003AA07 ,  2G003AA10 ,  2G003AG15 ,  2G003AH04 ,  2G003AH05 ,  2G011AA01 ,  2G011AA15 ,  2G011AA16 ,  2G011AB06 ,  2G011AE22 ,  2G011AF01
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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