特許
J-GLOBAL ID：200903060137376740
絶縁材への被膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-037737
公開番号（公開出願番号）：特開平10-298780
出願日： 1998年02月19日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 絶縁材上に形成した硬質カーボン膜の表面に静電気が帯電しないように、その表面抵抗値を制御する。【解決手段】 基材である絶縁材12の表面に導電性を有する下地膜14を形成し、その下地膜14上に硬質カーボン膜16を形成し、下地膜14の抵抗値を変えることにより硬質カーボン膜16の表面抵抗値を制御する。その下地膜14をチタン,クロム,タングステン等の金属膜で形成した場合は、その膜厚によって抵抗値を制御する。シリコン,ゲルマニウム等の半導体膜で形成した場合は、その膜厚又は不純物濃度によって抵抗値を変えることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁材の表面に導電性を有する下地膜を形成し、その下地膜上に硬質カーボン膜を形成し、前記下地膜の抵抗値を変えることにより前記硬質カーボン膜の表面抵抗値を制御することを特徴とする絶縁材への被膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 28/00
, C23C 16/26
, C30B 29/04
, H01L 21/02
, H01L 21/68
C23C 28/00 B
, C23C 28/00 A
, C23C 16/26
, C30B 29/04 Z
, H01L 21/02 C
, H01L 21/68 N
