特許
J-GLOBAL ID:200903060237093265

新規なエステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-124005
公開番号(公開出願番号):特開2002-012622
出願日: 2001年04月23日
公開日(公表日): 2002年01月15日
要約:
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は炭素数5〜20の分岐状又は環状の三級アルキル基を示す。Zは炭素数1〜10の2価の炭化水素基を示す。kは0又は1である。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるエステル化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R3を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R3を示す。R3は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は炭素数5〜20の分岐状又は環状の三級アルキル基を示す。Zは炭素数1〜10の2価の炭化水素基を示す。kは0又は1である。)
IPC (4件):
C08F 32/00 ,  C08G 61/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4件):
C08F 32/00 ,  C08G 61/08 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (50件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J032CA34 ,  4J032CA35 ,  4J032CA36 ,  4J032CA43 ,  4J032CA45 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CB04 ,  4J032CB05 ,  4J032CB12 ,  4J032CG01 ,  4J032CG06 ,  4J100AK32Q ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11P ,  4J100AR11Q ,  4J100AR21P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA16P ,  4J100BA20P ,  4J100BC03P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC12P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
引用特許:
審査官引用 (6件)
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