特許
J-GLOBAL ID：200903060264413999

窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学式情報再生装置

発明者：
山崎 幸生

山崎 幸生 について

, 
伊藤 茂稔

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出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-031791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319744
出願日： 2002年02月08日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 動作電力を増加させることなく、楕円率を改善した窒化物半導体レーザ素子を提供し、より小型化・低消費電力化された光学式情報再生装置を提供する。【解決手段】 本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層17をn型とp型の窒化物半導体からなるn型クラッド層15とp型クラッド層26で挟んだ構造を有している。さらに、p型クラッド層26は層厚方向に互いに組成が異なる2層以上から構成され、活性層17に近い第1のp型クラッド層20が、より遠い第2のp型クラッド層21に比べて低い屈折率を有する。また、本発明の光学式情報再生装置は、本発明の半導体レーザ素子を搭載している。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる第1導電型クラッド層と、窒化物半導体からなる活性層と、窒化物半導体からなる第2導電型クラッド層とを備え、該第1導電型クラッド層は、該活性層に近い主面側から、互いに組成が異なる第1の第1導電型クラッド層と第2の第1導電型クラッド層とを少なくともこの順に含み、該第1の第1導電型クラッド層は、該第2の第1導電型クラッド層に比べて、低い屈折率を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  G11B 7/125 A
Fターム (23件)：
5D119AA01 ,  5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119AA37 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119BB01 ,  5D119DA05 ,  5D119EB02 ,  5D119EB03 ,  5D119FA05 ,  5D119FA18 ,  5D119NA04 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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