特許
J-GLOBAL ID：200903060374328075

半導体製造装置

発明者：
横山 真吾

横山 真吾 について

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渡辺 智司

渡辺 智司 について

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宮田 敏光

宮田 敏光 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-014962
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218040
出願日： 2002年01月24日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】縦型の半導体製造装置において、ダミーウエハレス、高スループット化、及びウエハ面内の温度均一性に優れた半導体製造装置を提供すること。【解決手段】反応管本体4にボート40に装填された状態のウェハ41を導入後、ヒータ2の他、板状のヒータ90も発熱させることで昇温時間が短縮でき、かつキャップ方向への放熱を防げるので、定常時のウエハ列を全て均熱長区間に入れることが出来、ダミーウエハが不要となる。また、ボード40を回転させるので、ウエハ41の面内温度分布が均一になる
請求項（抜粋）：
ボートに装填した半導体ウエハを加熱炉内に設けた反応管内の下端開口部より管軸方向に挿入搬出される半導体製造装置において、前記ボートの下部にあるキャップ内にヒータを有し、ボートの回転機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458
Fターム (9件)：
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  5F045DP19 ,  5F045EK08 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 熱処理装置及びそのシール方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-201573   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 縦型熱処理装置及び熱処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-339749   出願人：東京エレクトロン株式会社
  • 縦型加熱装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-331009   出願人：助川電気工業株式会社
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