特許
J-GLOBAL ID：200903060382649727

窒化物半導体レーザ素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059680
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315838
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体レーザ素子を、大容量メディアの読み取り、書き取り光源として用いることができるように、高出力での横モード安定性、寿命特性を向上させる。【構成】 本発明の窒化物半導体レーザ素子は、活性層、p側クラッド層、p側コンタクト層が順に積層され、p側コンタクト層側からエッチングにより、幅が1〜3μmで、深さがp側クラッド層の膜厚が、0.1μmとなる位置より下で、発光層より上になるストライプ状の導波路領域が形成されている。
請求項（抜粋）：
活性層と、その上に第1のp型窒化物半導体を含むp側クラッド層と、その上に第2のp型窒化物半導体を含むp側コンタクト層とが少なくとも順に積層され、該p側コンタクト層側からエッチングされて、ストライプ状の導波路領域が設けられた窒化物半導体レーザ素子であって、前記エッチングにより設けられたストライプの幅が、1〜3μmの範囲であり、前記エッチングの深さが、活性層よりも上で、前記p側クラッド層の膜厚が0.1μmとなる位置よりも下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (4件)：
H01S 5/227 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (4件)：
H01S 5/227 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/302 J
Fターム (36件)：
5F004BA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA13 ,  5F004DB19 ,  5F004EB08 ,  5F041AA04 ,  5F041AA09 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB05 ,  5F041FF14 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073EA15 ,  5F073EA16 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (7件)
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