特許
J-GLOBAL ID：200903026069732423
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-074221
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266352
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光素子においてインピーダンスを低減する。【解決手段】 サファイア基板1上にn-GaN低温バッファ層2、n-GaNバッファ層3、n-InGaN バッファ層4、n-AlGaN クラッド層5、n-GaN 光ガイド層6、活性層7、p-GaN 光ガイド層8、一部にリッジストライプ部を有するp-AlGaN クラッド層9、リッジストライプ状のp-GaN 下部キャップ層10が積層され、p-AlGaNクラッド層9のリッジストライプ以外の部分に、SiN 膜11を製膜する。さらに、p-GaN 上部キャップ層12をSiN 膜11上およびp-GaN 下部キャップ層10上に成長した後、塩素イオンを用いたRIBEにより発光領域を含む部分以外のエピタキシャル層をn-GaN バッファ層3が露出するまでエッチング除去する。この後、n-GaN バッファ層3上にTi/Al/Ti/Au n側電極14を、また、上部キャップ層12上にNi/Au p側電極13を真空蒸着・窒素中アニールしてオーミック電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型クラッド層、活性層、p型クラッド層の各半導体層がこの順に積層され、前記p型クラッド層の一部に発光領域を定めるストライプ部が形成され、前記ストライプ部上にp型キャップ層を形成され、該p型キャップ層上にp側電極が形成されている半導体発光素子において、前記p型キャップ層が、前記ストライプ部上に積層されたストライプ状の下部キャップ層と、前記下部キャップ層上に形成された該下部キャップ層よりも広い面積を有する上部キャップ層とからなり、前記p側電極と前記p型上部キャップ層との接触面積が、下部キャップ層と上部キャップ層との接触面積よりも広いことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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