半導体レーザ吸収分光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：光石俊郎 , 田中康幸 , 松元洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-320532
公開番号（公開出願番号）：特開2006-133013
出願日： 2004年11月04日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：

【課題】被測定ガスのガス圧が10mbar未満であっても、信号対雑音比を十分大きくして、精度良くガス濃度を測定することができる半導体レーザ吸収分光装置を提供することを目的とする。【解決手段】アンモニアガスG1が充填されるガスセル24内に配置され、電流励起により駆動する電流励起型面発光半導体レーザ21と、電流励起型面発光半導体レーザ21から出射される半導体レーザ光の光路上に、且つガスセル24内に配置される凹面鏡23とからなる2つの共振器を有し、アンモニアガスG1に照射された半導体レーザL1を受光する第1のフォトダイオード52と、電流励起型面発光半導体21から照射された半導体レーザL2を受光する第2のフォトダイオード55とを備えて、第1及び第2のフォトダイオード52,55にそれぞれ受光した半導体レーザ光L1,L2の発光強度からアンモニアガスG1の濃度を測定するようにした。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体レーザ光による吸収分光法を用いてガス濃度を評価する半導体レーザ吸収分光装置において、半導体レーザから出射された前記半導体レーザ光が伝搬する光路上に3つの反射鏡が設置され、隣接する2つの反射鏡からなる2つの共振器を有し、前記2つの共振器のうち一方に被測定ガスを配置したことを特徴とする半導体レーザ吸収分光装置。

IPC (3件)：

G01N 21/39 , G01N 21/35 , H01S 5/183

FI (3件)：

G01N21/39 , G01N21/35 Z , H01S5/183

Fターム (19件)：

2G059AA01 , 2G059BB01 , 2G059CC01 , 2G059DD12 , 2G059DD13 , 2G059EE01 , 2G059EE12 , 2G059GG01 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059KK03 , 2G059LL01 , 2G059LL03 , 5F173AC03 , 5F173AC14 , 5F173AC33 , 5F173AC53 , 5F173AH14 , 5F173AL13

引用特許：

審査官引用 (9件)

レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-007218 出願人：ホーヤ株式会社
レーザ・システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-282070 出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
光学式ガス分析装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-062283 出願人：日本無線株式会社

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