特許

J-GLOBAL ID：200903060750104671

超電導体単結晶およびその育成方法

発明者： 田上 稔 ,  姚 忻 ,  中村 優 ,  塩原 融 ,  田中 昭二
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  石川島播磨重工業株式会社 ,  三菱電線工業株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250677
公開番号（公開出願番号）：特開平10-095700
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 成長速度が速く、かつ良好な超電導特性を持つRE123構造の超電導体単結晶およびその育成方法を提供する。【解決手段】 Y211、Sm211、Ba-Cu-O粉末をそれぞれ21g、14g、300gずつ、るつぼ1内に充填した後、これらの混合物を加熱、溶融させる。この際、液相表面での温度を1000〜1020°C程度とし、るつぼ1の底部と液相表面で2〜10°C程度の温度勾配を持つように温度を制御する。その後、大気雰囲気下において引き上げ軸2の先端に取り付けた種結晶3を溶融液4表面に接触させ回転させつつ、0.1mm/hr 程度の速度で引き上げる。すると、包晶凝固反応により種結晶3上にY1-xSmxBa2Cu3O7-δ 超電導体単結晶6が成長する。

請求項（抜粋）：

複数種の希土類元素を構成元素として含み、RE123構造を有することを特徴とする超電導体単結晶。

IPC (4件)：

C30B 29/22 501 ,  C30B 15/00 ZAA ,  C30B 15/14 ZAA ,  C30B 15/20 ZAA

FI (4件)：

C30B 29/22 501 B ,  C30B 15/00 ZAA Z ,  C30B 15/14 ZAA ,  C30B 15/20 ZAA

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化物バルク超電導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-354469   出願人：新日本製鐵株式会社
• 酸化物超電導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-162360   出願人：新日本製鐵株式会社
• Y123型結晶膜・多層膜積層体の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-108571   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 旭硝子株式会社, 石川島播磨重工業株式会社, 三菱電線工業株式会社
• 酸化物結晶の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-235616   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 旭硝子株式会社, 石川島播磨重工業株式会社, 住友金属工業株式会社, 九州電力株式会社, 財団法人鉄道総合技術研究所
• Sm系123結晶の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-162264   出願人：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 石川島播磨重工業株式会社, 九州電力株式会社, 三菱電線工業株式会社, 旭硝子株式会社