特許
J-GLOBAL ID：200903060884673192
微細構造作製方法及び装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-254855
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073762
出願日： 2004年09月01日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせずに、任意の形状で且つ任意の高さの微細構造物を製作可能な微細構造作製方法を得る。【解決手段】 単結晶シリコン材料をエッチング液に浸した状態で、表面に摩擦力顕微鏡の機構を用いて所定形状の微細機械加工を施し、任意のタイミングで任意の領域にマスクパターンを形成することで、エッチングマスクを形成する時間差を利用して、微細構造の高さを調節することができる。また、微細機械加工時の垂直荷重、或いは微細機械加工時の送り量、或いは重複加工回数を任意に選択することにより、エッチングマスクの強度を変化させて、形成される微細パターンの高さを調節することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン材料をエッチング溶液に浸した状態で、表面に所定形状の微細機械加工を施し、これにより生成されるマスク効果を発現する微細パターンによって、任意の領域のエッチングレートを低下させることで、所定形状の微細パターンを形成する微細構造作製方法において、微細機械加工を行う時間に差を与えることで、形成される微細構造の高さを調節することを特徴とする微細構造作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, B81C 1/00
, B82B 1/00
, B82B 3/00
H01L21/306 B
, B81C1/00
, B82B1/00
, B82B3/00
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043DD02
, 5F043FF04
出願人引用 (2件)
-
特許第3401565号
-
微細構造作製方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-293751
出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
