特許
J-GLOBAL ID：200903060929559493

窒化物半導体レーザ

発明者：
中川 大輔

中川 大輔 について

, 
田中 良宜

田中 良宜 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-117178
公開番号（公開出願番号）：特開2009-267231
出願日： 2008年04月28日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】電子ブロック層の影響で発生した応力を緩和し、しきい電流を低下させ、かつ信頼性の低下を抑制できる窒化物半導体レーザを提供する。【解決手段】n型クラッド層14と、n型クラッド層14上に配置されたn型GaN系ガイド層16と、n型GaN系ガイド層16上に配置された活性層18と、活性層18上に配置されたp型GaN系ガイド層22と、p型GaN系ガイド層22上に配置された電子ブロック層25と、電子ブロック層25上に配置された応力緩和層27と、応力緩和層27上に配置されたp型クラッド層26とを備える窒化物半導体レーザ20。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型クラッド層と、 前記n型クラッド層上に配置されたn型GaN系ガイド層と、 前記n型GaN系ガイド層上に配置された活性層と、 前記活性層上に配置されたp型GaN系ガイド層と、 前記p型GaN系ガイド層上に配置された電子ブロック層と、 前記電子ブロック層上に配置された応力緩和層と、 前記応力緩和層上に配置されたp型クラッド層と を備えることを特徴とする窒化物半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01S 5/22
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01S5/22
Fターム (9件)：
5F173AA08 ,  5F173AF25 ,  5F173AG17 ,  5F173AG20 ,  5F173AG21 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AR23 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174903   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-157616   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (5件)
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