特許
J-GLOBAL ID：200903060930341574
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145837
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072922
出願日： 1998年05月27日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 レジスト膜の表面に形成されるシリル化層のパターン幅及び厚さを大きくして、レジストパターンのパターン形状の劣化を防止する。【解決手段】 半導体基板11上にレジストを塗布してレジスト膜12を形成した後、該レジスト膜12に対してマスク13を用いてArFエキシマレーザ14を照射してパターン露光を行なう。パターン露光されたレジスト膜12の表面に4-ジメチルシロキシ-3-ペンテン-2-オンよりなるシリル化剤15を供給して、レジスト膜12における未露光部12bにシリル化層16を形成する。シリル化層16をマスクとしてレジスト膜12に対してエッチングを行なうことによりレジスト膜16における露光部12aを除去して、レジスト膜12よりなるレジストパターン17を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、上記レジスト膜に対してパターン露光を行なう第2の工程と、パターン露光された上記レジスト膜の表面に下記一般式(1)で示されるシラン化合物を含むシリル化剤を供給して、上記レジスト膜におけるパターン露光の未露光部にシリル化層を形成する第3の工程と、上記シリル化層をマスクとして上記レジスト膜に対してエッチングを行なうことにより上記レジスト膜におけるパターン露光の露光部を除去して、上記レジスト膜よりなるレジストパターンを形成する第4の工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。【化1】(但し、R1 ,R2 ,R3 は、同種又は異種であって、水素原子、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基であり、R4 ,R5 ,R6 は、同種又は異種であって、水素原子、OR7 (R7 は、水素原子、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基である。)、炭素数1〜6の置換飽和炭化水素基若しくは非置換飽和炭化水素基、炭素数1〜6の置換不飽和炭化水素基若しくは非置換不飽和炭化水素基、又は炭素数3〜6の脂環式飽和炭化水素基である。)
IPC (5件)：
G03F 7/075 501
, G03F 7/022
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 512
, H01L 21/027
G03F 7/075 501
, G03F 7/022
, G03F 7/039 601
, G03F 7/38 512
, H01L 21/30 568
