特許
J-GLOBAL ID：200903061003943679
電子デバイス用基板および電子デバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-254790
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095843
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】Si(100)基板上に、金属薄膜と、c面単一配向で高結晶性のウルツァイト型結晶構造の機能性薄膜とを有し、優れた特性を示す電子デバイスを提供する。【解決手段】基板2上に、面心立方構造の(111)配向膜または六方最密構造の(0001)配向膜である金属薄膜4と、ウルツァイト型構造の(0001)配向膜であるウルツァイト型薄膜5とを有し、これら両薄膜は、面内における結晶方位が相異なる少なくとも2種の結晶粒を含む多結晶膜であり、金属薄膜4が(111)配向膜である場合、金属薄膜4面内の<1-10>軸とウルツァイト型薄膜5面内の<11-20>軸とが平行であり、金属薄膜4が(0001)配向膜である場合、金属薄膜4面内の<11-20>軸とウルツァイト型薄膜5面内の<11-20>軸とが平行である電子デバイス用基板。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも表面がSi(100)単結晶からなる基板上に、面心立方構造または六方最密構造を有する金属薄膜と、ウルツァイト型結晶構造を有するウルツァイト型薄膜をこの順で有し、
金属薄膜は、面心立方構造の(111)面が基板表面と平行となるように配向した(111)配向膜であるか、六方最密構造の(0001)面が基板表面と平行となるように配向した(0001)配向膜であり、
ウルツァイト型薄膜は、(0001)面が基板表面と平行になるように配向した(0001)配向膜であり、
金属薄膜およびウルツァイト型薄膜は、面内における結晶方位が相異なる少なくとも2種の結晶粒を含む多結晶膜であり、
金属薄膜が(111)配向膜である場合、金属薄膜面内の<1-10>軸とウルツァイト型薄膜面内の<11-20>軸とが平行となるように、ウルツァイト型薄膜が金属薄膜上にエピタキシャル成長しており、
金属薄膜が(0001)配向膜である場合、金属薄膜面内の<11-20>軸とウルツァイト型薄膜面内の<11-20>軸とが平行となるように、ウルツァイト型薄膜が金属薄膜上にエピタキシャル成長している電子デバイス用基板。
IPC (7件)：
H01L41/08
, C30B29/68
, H01L41/09
, H01L41/18
, H01L41/22
, H01L41/24
, H03H9/17
H01L41/08 D
, C30B29/68
, H03H9/17 F
, H01L41/22 A
, H01L41/22 Z
, H01L41/18 101Z
, H01L41/08 C
4G077AA03
, 4G077BB07
, 4G077BE13
, 4G077DA11
, 4G077EA02
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EF01
, 4G077HA11
, 4G077SA04
, 4G077SB01
, 5J108BB07
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108EE13
