特許
J-GLOBAL ID：200903061065787177
半導体発光素子およびその製法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342942
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190056
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなるp形層とp側電極との間の電気的接触を改良し、接触抵抗を下げることにより順方向電圧の低い半導体発光素子およびそれを得るための製法を提供する。【解決手段】 基板1と、該基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3とp形層5とが積層されることにより発光層を形成する半導体積層部と、前記p形層に電流拡散層7を介して設けられるp側電極8とからなり、前記電流拡散層の少なくとも前記p形層側にIn、GaおよびAlからなる群の少なくとも1種の金属のドロップレット層または薄膜からなる低抵抗層7a、またはIn、ZnおよびMgからなる群の少なくとも1種の金属を前記p形層の不純物濃度より高濃度に含有するチッ化ガリウム系化合物半導体からなる低抵抗層7aを有している。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層とp形層とが積層されることにより発光層を形成する半導体積層部と、前記p形層に電流拡散層を介して設けられるp側電極とからなり、前記電流拡散層の少なくとも前記p形層側にIn、GaおよびAlからなる群の少なくとも1種の金属のドロップレット層または薄膜からなる低抵抗層を有する半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
