特許
J-GLOBAL ID:200903061116575633

多層基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-418485
公開番号(公開出願番号):特開2005-183482
出願日: 2003年12月16日
公開日(公表日): 2005年07月07日
要約:
【課題】寸法制度に優れ、平面方向の収縮率が0に近く、その収縮率のばらつきの小さい多層基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】結晶化ガラスセラミックスからなる少なくとも2種の絶縁層の積層体からなり、第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とし、前記第1及び第2絶縁層の熱膨張係数の差が、2×10-6/°C以下であることが好ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ガラスセラミックスからなる少なくとも2種の絶縁層の積層体からなり、第1絶縁層に含まれる結晶化ガラスの結晶化温度が、第2絶縁層に含まれる結晶化ガラスの軟化点よりも低いことを特徴とする多層基板。
IPC (1件):
H05K3/46
FI (2件):
H05K3/46 T ,  H05K3/46 H
Fターム (8件):
5E346AA12 ,  5E346AA38 ,  5E346CC18 ,  5E346EE29 ,  5E346GG03 ,  5E346GG09 ,  5E346HH25 ,  5E346HH40
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特許第2554415号
  • 回路基板の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-052403   出願人:京セラ株式会社
審査官引用 (4件)
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