特許
J-GLOBAL ID：200903068263011561
回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-052403
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261443
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】加圧焼成や未焼成セラミック板によらずに、焼成時の平面方向の焼成収縮を抑制するとともに、その収縮率のばらつきを小さくする。【解決手段】焼成収縮開始温度が異なる2種の未焼成のセラミック絶縁層を積層してなる積層物を焼成して回路基板を作製するにあたり、焼成収縮開始温度が高温側のセラミック絶縁層が収縮開始する時、焼成収縮開始温度が低温側のセラミック絶縁層が、最終焼成体積収縮量の90%以上焼成収縮が進行していることを特徴とするもので、焼成収縮開始温度の差が10°C以上であること、さらには、焼成後の熱膨張係数差が2×10-6/°C以下が望ましい。
請求項（抜粋）：
焼成収縮開始温度が異なる2種の未焼成のセラミック絶縁層を積層してなる積層物を焼成して回路基板を作製するにあたり、焼成収縮開始温度が高温側のセラミック絶縁層が収縮開始する時、焼成収縮開始温度が低温側のセラミック絶縁層が最終焼成体積収縮量の90%以上焼成収縮していることを特徴とする回路基板の製造方法。
FI (3件)：
H05K 3/46 G
, H05K 3/46 H
, H05K 3/46 T
5E346AA12
, 5E346AA38
, 5E346AA43
, 5E346CC16
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346CC39
, 5E346DD13
, 5E346EE24
, 5E346EE27
, 5E346EE29
, 5E346FF18
, 5E346GG15
