特許
J-GLOBAL ID：200903061189241288
半導体基板の作成方法ならびに半導体基板およびそれを用いる化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小谷 悦司
, 伊藤 孝夫
, 樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-333093
公開番号（公開出願番号）：特開2009-155141
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】安価なSi基板上に良好な半導体素子が得られるAlN基板を短時間で作成する方法を提供する。【解決手段】Siから成るダミー基板1上に、Siに反応性を有するGaを散布し、加熱して凝集体を形成させ、浸食体2とする。加熱すると、GaはSiと反応し、ダミー基板1がエッチングされ、凹部3および凸部4が形成される。その後、AlN層を成長させると、一体化したメイン基板5が形成される。したがって、メイン基板5は、薄い壁の凸部4から成長し、基板1,5の熱膨張係数の差に起因する歪の影響を受けにくく、安価なSi基板1上に貫通転位の少ない良質な結晶のAlN基板5を作成できる。また、浸食体2は、従来のフォトリソ形成などによる凹凸に比べて極微小で、ダミー基板1上に分散するので、横方向の成長の遅いAlNであっても、平坦なメイン基板5を短時間で作成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンから成るダミー基板上に、前記シリコンに対して反応性を有する金属材料を散布し、加熱して凝集体を形成させる第1の工程と、
前記凝集体を浸食体として、加熱によって前記ダミー基板を部分的にエッチングさせて、該ダミー基板の表面上に複数の凹部を形成させる第2の工程と、
前記ダミー基板の凹部以外の部分から、アルミニウムを含有する材料によって、前記凹部を覆うように一体に成長させ、メイン基板を形成する第3の工程とを含むことを特徴とする半導体基板の作成方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, H01L 33/00
, H01L 21/205
C30B29/38 C
, H01L33/00 C
, H01L21/205
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077HA02
, 5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD17
, 5F045AF03
, 5F045AF12
