特許

J-GLOBAL ID：200903061244775122

MRAM構造を側壁によって閉じ込める、自己整合型かつトレンチなし磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)構造

発明者： トゥルン ティー.ドアン ,  ロジャー リー ,  デニス ケラー ,  ガテー サンドー ,  レン アール
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫 ,  橋本 傳一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-574699
公開番号（公開出願番号）：特表2004-519859
出願日： 2002年03月12日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

本発明は、トレンチなしのMRAM構造の製造方法に関し、かつその方法によって得られるMRAM構造に関する。本発明のMRAM構造は、基板上に形成した保護側壁内部に固着層を有する。保護側壁が、自己整合によるMRAM構造の形成を助長する。

請求項（抜粋）：

MRAMデバイスを形成する方法であって、 自立型絶縁側壁を基板上に形成して、該側壁によって区切られる保護領域を形成し、前記側壁が前記基板の最上レベルの上方に形成される工程と、 前記保護領域内に底部磁性層を形成する工程と、 上部磁性層を前記底部磁性層の領域上に形成する工程と を備えたことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12

Fターム (11件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA01 ,  5F083JA02 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083PR29 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335898   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-315319   出願人：日本電気株式会社
• 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-353295   出願人：ローム株式会社
• 磁気素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-089616   出願人：株式会社東芝
• メモリセル装置及び該メモリセル装置の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-565541   出願人：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 不揮発性ランダムアクセスメモリー装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277687   出願人：ソニー株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093935   出願人：株式会社東芝