特許
J-GLOBAL ID：200903061273005417

温度比例型電圧発生器

発明者：
フィスカス,ティモシー,イー

フィスカス,ティモシー,イー について


出願人/特許権者：
サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション

サイプレス・セミコンダクタ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-507827
公開番号（公開出願番号）：特表2005-509991
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】絶対温度比例(PTAT)電圧値が限定されない温度比例型電圧発生器を提供する。【解決手段】バイアス回路(100)は、第1回路(102)及び第2回路(104)で形成されている。第1回路(102)は、第1バイアス信号(VBIAS)及び第2バイアス信号(VREF)を発生するために形成され得る。第2バイアス信号(VREF)は、閾値電圧(118)及び第1抵抗(R)によって規定され得る。第2回路(104)は、第1バイアス信号(VBIAS)及び第2バイアス信号(VREF)及び第2の抵抗(R1)に応じて第3バイアス信号(PCTR)を発生するために形成され得る。第3バイアス信号(PCTR)は、絶対温度に線型的に比例(PTAT)する振幅を有し、温度の変化に応じてメモリセルのリフレッシュ比率を変化させるために形成され得る。
請求項（抜粋）：
バイアス回路であって、第1バイアス信号及び第2バイアス信号を発生するために形成される第1回路を有し、上記第2バイアス信号が閾値電圧および第1抵抗によって規定され、上記第1バイアス信号及び上記第2バイアス信号及び第2抵抗に応じて第3バイアス信号を発生するために形成される第2回路を有し、上記第3バイアス信号が線型的な絶対温度比例である振幅を有するとともに、温度の変化に応じてメモリセルのリフレッシュ比率を変化させるために形成されることを特徴とするバイアス回路。
IPC (2件)：
G11C11/406 ,  G11C11/407
FI (2件)：
G11C11/34 363L ,  G11C11/34 354F
Fターム (14件)：
5M024AA20 ,  5M024AA36 ,  5M024AA50 ,  5M024AA92 ,  5M024BB22 ,  5M024BB39 ,  5M024EE09 ,  5M024EE26 ,  5M024FF20 ,  5M024FF30 ,  5M024GG04 ,  5M024HH14 ,  5M024PP01 ,  5M024PP03
引用特許：
審査官引用 (6件)
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