特許

J-GLOBAL ID：200903061622103588

MIS型化合物半導体装置の製造方法

発明者： 斎藤 國夫 ,  嶋田 勝 ,  重川 直輝 ,  榎木 孝知
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-165603
公開番号（公開出願番号）：特開2005-347527
出願日： 2004年06月03日
公開日（公表日）： 2005年12月15日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜における遅いトラップを低減し、より高性能で信頼度の高いMIS型半導体装置を提供する。【解決手段】InP系の化合物半導体からなる半導体層エピタキシャル層(半導体層)102を備えた基板101の上に、ECRスパッタ法により、III族元素の窒化物であるAlN膜(ゲート絶縁膜)103を形成することで、MIS型化合物半導体装置を製造し、水素ガスを含むガス雰囲気111において、形成したゲート絶縁膜103を加熱処理する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体からなる半導体層を備えた基板の上にIII族元素の窒化物からなるゲート絶縁膜を形成する工程を備えたMIS型化合物半導体装置の製造方法であって、 水素ガスを含むガス雰囲気中で前記ゲート絶縁膜を加熱処理する工程を備える ことを特徴とするMIS型化合物半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L29/78 ,  H01L21/318

FI (3件)：

H01L29/78 301B ,  H01L21/318 B ,  H01L29/78 301G

Fターム (19件)：

5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC09 ,  5F058BF15 ,  5F058BF37 ,  5F058BH05 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA06 ,  5F140AC39 ,  5F140BA06 ,  5F140BA08 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140BG33

引用特許：

出願人引用 (4件)

• MIS構造を有する半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-010960   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-168450   出願人：富士通株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225077   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-053094   出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

審査官引用 (4件)

• 特開平2-250376
  
• 特開昭63-237565
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052396   出願人：工業技術院長, 新エネルギー・産業技術総合開発機構
• 特開平3-190241