特許
J-GLOBAL ID：200903061646639187

半導体装置

発明者：
上田 孝

上田 孝 について

, 
後藤 修

後藤 修 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-207885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026352
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 InAlP層を窓層とするp-on-n構造のInGaP系太陽電池の直列抵抗を低下させる。【解決手段】 n+ 型GaAs基板22の上に、n+ 型GaAs層24、n+ 型InGaP層26、n+ 型InAlP層28、n型InGaP層30、p型InGaP層32、およびp型InAlP層34が、この順序で積層されている。窓層34の上面の一部に、p型AlGaAs層36と、p+ 型GaAs層38と、オーミック電極40とが、この順序で積層されている。AlGaAs層の価電子帯は、GaAs層の価電子帯の上端よりも低く、InAlP層の価電子帯の上端よりも高いエネルギ準位の範囲に形成される。
請求項（抜粋）：
コンタクト層として用いられるGaAs層と該GaAs層に接触するInAlP層とによって形成されたヘテロ接合を有した半導体装置において、前記GaAs層と前記InAlP層との間に半導体層を挿入してあり、前記半導体層の価電子帯の上端のエネルギ準位が、前記GaAs層およびInAlP層の各々の価電子帯の上端のエネルギ準位の間にあることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 31/04 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 31/04 E ,  H01L 29/80 H
Fターム (19件)：
5F051AA08 ,  5F051DA07 ,  5F051FA13 ,  5F051FA17 ,  5F051FA18 ,  5F051FA30 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102HC07
引用特許：
審査官引用 (6件)
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