特許
J-GLOBAL ID：200903061674719218
薄膜磁性体記憶装置およびその情報プログラム方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072088
公開番号（公開出願番号）：特開2003-217277
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 正規メモリセルと同様の磁性体記憶素子を用いて、必要な情報を効率的にプログラムできる薄膜磁性体記憶装置の構成を提供する。【解決手段】 プログラムユニットPUは、磁化方向に応じて電気抵抗が変化する2個のプログラムセルPRC1およびPRC2を有する。各プログラムセルは、初期状態、すなわち非プログラム状態において同一方向に磁化される。プログラム状態時には、プログラムデータに応じて選択された一方のプログラムセルの磁化方向が、初期状態から書換えられる。2個のプログラムセルの電気抵抗に応じて生成されるプログラム信号φaおよびφbによって、1ビットのプログラムデータと、当該プログラムユニットPUがプログラムデータを記憶しているか否かの情報とを読出すことができる。
請求項（抜粋）：
各々が磁気的にデータ記憶を実行する複数のメモリセルが行列状に配置されたメモリアレイを備え、各前記メモリセルは、2通りの方向のいずれかに磁化されることによってデータ記憶を実行する磁気記憶部を有し、前記複数のメモリセルに対するデータ読出およびデータ書込の少なくとも一方に用いる情報を記憶するためのプログラム回路をさらに備え、前記プログラム回路は、各々が、前記情報を構成するプログラムデータをプログラム状態時に記憶する複数のプログラムユニットを含み、各前記プログラムユニットは、各々が2通りの方向のいずれかに磁化される2個のプログラムセルを有し、各前記プログラムユニットにおいて、前記プログラム状態時には、前記2個のプログラムセルのうちの一方のプログラムセルは、非プログラム状態時と異なる方向に磁化される、薄膜磁性体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083MA06
, 5F083MA15
, 5F083MA16
, 5F083ZA10
, 5F083ZA28
