特許
J-GLOBAL ID：200903057566082575

半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法

発明者：
角田 篤勇

角田 篤勇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206873
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055587
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】閾値電流値および動作電流値の増大が防止できる赤色半導体レーザ素子とその製造方法を提供すること。【解決手段】エッチストップ層7上に、p型第2AlGaInPクラッド層8、p型GaInP中間層9およびp型GaAsキャップ層10から成るリッジ部を形成し、p型中間層9をp型第2クラッド層8よりも両幅方向に突出させて、p型中間層9とp型第2クラッド層8との間に0.13μm以上の段差を形成する。この段差によって、リッジ部の両側とリッジ部上とにAlInP層を互いに分離して各々形成できるので、リッジ部上のAlInP層をエッチング除去する際、リッジ部両側のAlInP電流狭窄層13はレジスト膜で確実に保護されてオーバーエッチされない。AlInP電流狭窄層13が電流狭窄機能を有効に奏して、低閾値発振、低消費電力の半導体レーザ素子が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、活性層と、第1クラッド層とを設けると共に、上記第1クラッド層上に、第2クラッド層と、キャップ層を含む上部層とからなるリッジ部を設けた半導体レーザ素子において、 上記上部層が上記第2クラッド層よりも両幅方向に突出して、上記上部層と上記第2クラッド層との間に0.13μm以上の段差があることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
H01S5/227
FI (1件)：
H01S5/227
Fターム (11件)：
5F073AA26 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073BA09 ,  5F073CA14 ,  5F073DA06 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (14件)
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