材料処理方法及び加熱炉

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-094613
公開番号（公開出願番号）：特開2001-280855
出願日： 2000年03月30日
公開日（公表日）： 2001年10月10日
要約：

【要約】【課題】本発明は、大型,任意形状の材料を空間に非接触で保持し,高温加熱処理して、これまでにない大型高品質電子材料,光学材料,超伝導材料などの作製を可能にすることを目的としている。【解決手段】本発明はノズルからガスを流出し,そのガス圧で材料を非接触で空間に保持し,かつ流出するガスを加熱し,その温度を制御することにより,浮遊のためのガス圧で材料の高温・加熱処理を同時に行うことを可能とした。また,ノズル形状を変えることにより,任意の形状の材料を非接触で浮遊させることができ,さらにガス圧による浮遊機構は材料の物性値には依存しないため,磁性材料,誘電体,ガラスなど,あらゆる材料を同一の機構で非接触で浮遊させることができる。

請求項（抜粋）：

材料を高温処理する材料処理方法において、材料下面にガスを流出させ、該ガスのガス圧を利用して任意の形状の材料を非接触で空間に保持し,かつ保持用ガスを高温に加熱することにより,保持用ガスの熱を利用して材料を高温加熱処理する材料処理方法。

IPC (5件)：

F27B 17/00 , F27D 5/00 , F27D 7/02 , F27D 7/06 , C21D 1/00 111

FI (5件)：

F27B 17/00 Z , F27D 5/00 , F27D 7/02 A , F27D 7/06 C , C21D 1/00 111

Fターム (14件)：

4K034AA10 , 4K034AA19 , 4K034DB02 , 4K055AA05 , 4K055NA00 , 4K063AA05 , 4K063BA06 , 4K063BA12 , 4K063CA07 , 4K063DA14 , 4K063DA21 , 4K063DA32 , 4K063DA33 , 4K063FA02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体デバイス製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-207499 出願人：松下電子工業株式会社
半導体ウエハ製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-092756 出願人：株式会社スーパーシリコン研究所
半導体製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-337826 出願人：株式会社日立製作所

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