特許
J-GLOBAL ID：200903062043305485
半導体装置の製造方法と半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012811
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214630
出願日： 1998年01月26日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】化合物半導体を用い、高周波動作に適した半導体装置の製造方法と半導体装置に関し、高周波特性に優れ、かつ歩留り高く製造することのできる、化合物半導体を用いた半導体装置の製造法を提供する。【解決手段】(a)化合物半導体基板の表面領域に活性領域を取り囲む素子間分離領域を形成する工程と、(b)前記化合物半導体基板上にキャパシタ素子の下部電極およびキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、(c)前記工程(b)の後に、前記活性領域にトランジスタを形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
(a)化合物半導体基板の表面領域に活性領域を取り囲む素子間分離領域を形成する工程と、(b)前記化合物半導体基板上にキャパシタ素子の下部電極およびキャパシタ誘電体膜を形成する工程と、(c)前記工程(b)の後に、前記活性領域にトランジスタを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/06
, H01L 21/8232
, H01L 21/8222
, H01L 27/06
, H01L 27/095
H01L 27/04 C
, H01L 27/06 F
, H01L 27/06 101 D
, H01L 29/80 E
