半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054840
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】長波長領域までの広い波長範囲に亘って、低雑音で安定な円形断面の光ビームを発生する効率の高いGaN系半導体発光装置を提供する。【解決手段】GaN系結晶にSc等を加えることにより、不純物イオンの活性化率を高め、コンタクト層のキャリア密度を増加し、GaN系半導体発光装置の動作電圧を低減して発光効率を向上させる。また、活性層にSc等を含む超格子を用い、波長範囲を長波長側に拡大する。活性層の近傍にSc等を含み禁制帯幅が小さく、かつキャリア密度の大きい光吸収性に優れた電流狭窄層を形成し、レーザ光の横モード制御を行うことにより、低雑音で安定な円形断面の光ビームを得ることができる。またNaCl型のMgO基板またはSi基板上にSc等を含むGaN系半導体レーザの多層構造を形成することにより、へき開性を改善し半導体レーザの良好な反射面を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された窒化物の多層構造からなる半導体発光装置において、少なくとも前記多層構造をなす層の1つには、少なくともSc、Y及びランタナイド、アクチナイド元素、Zr、Hf、V、Nb及びTaのいずれか1つが含まれたことを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (8件)

電極構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-167124 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-098824 出願人：シャープ株式会社
発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-073938 出願人：昭和電工株式会社

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審査官引用 (8件)

電極構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-167124 出願人：シャープ株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-098824 出願人：シャープ株式会社
発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-073938 出願人：昭和電工株式会社

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