特許
J-GLOBAL ID：200903062100511275

半導体装置の製造方法

発明者：
門馬 彰夫

門馬 彰夫 について


出願人/特許権者：
新日本無線株式会社

新日本無線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069864
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270627
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：
【要約】【課題】 ポッティングモールドにより形成した封止樹脂表面の平坦性を良好にし、集合基板から取れる半導体装置の個数を向上させる。【解決手段】 集合基板30上に搭載された半導体素子5を取り囲むようにディスペンサーにてダム材を二重塗布してダム11を形成し、半導体素子5を被覆するようダム11で区画される領域に液状樹脂を滴下する。この際、滴下完了後の前記領域中心部の前記液状樹脂表面の高さを略円弧状になったダム11上層内側面の当該円弧中心と一致させ、前記液状樹脂表面平坦面の面積を広げるよう滴下量を調整する。
請求項（抜粋）：
集合基板上に搭載された半導体素子を取り囲むようにディスペンサーにてダム材を塗布してダムを形成し、前記半導体素子を被覆するよう前記ダムで区画される領域に液状樹脂を滴下する半導体装置の製造方法において、前記ダム材を二重に塗布し、上層内側面が断面略円弧となったダムを形成し、前記液状樹脂を滴下する際に、滴下完了後の前記領域中心部の前記液状樹脂表面の高さを前記略円弧の略中心と一致させ、前記液状樹脂表面平坦面の面積を広げるよう滴下量を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/56 ,  H01L 21/301
FI (2件)：
H01L 21/56 E ,  H01L 21/78 Q
Fターム (6件)：
5F061AA01 ,  5F061CA05 ,  5F061CA06 ,  5F061CB02 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (5件)
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