特許
J-GLOBAL ID:200903062130339620
洗浄剤組成物及び洗浄方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
細田 芳徳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-288553
公開番号(公開出願番号):特開平11-116984
出願日: 1997年10月21日
公開日(公表日): 1999年04月27日
要約:
【要約】【課題】固体状微粒子や油性汚れの付着した半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの少ない洗浄剤組成物を提供すること、並びに、固体状微粒子や油性汚れの付着した半導体基板又は半導体素子の洗浄性に優れ、かつ泡立ちの少ない洗浄方法を提供すること。【解決手段】分子中に2個以上のホスホン酸基を有する化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物、並びに該洗浄剤組成物を用いて洗浄する半導体基板又は半導体素子の洗浄方法。
請求項(抜粋):
分子中に2個以上のホスホン酸基を有する化合物を含有してなる、半導体基板用又は半導体素子用洗浄剤組成物。
IPC (6件):
C11D 1/12
, C11D 10/02
, H01L 21/304 341
, C11D 1:12
, C11D 1:66
, C11D 7:26
FI (3件):
C11D 1/12
, C11D 10/02
, H01L 21/304 341 L
引用特許:
審査官引用 (9件)
-
半導体基板の洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-052580
出願人:三菱瓦斯化学株式会社
-
半導体基板の洗浄液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-055736
出願人:三菱瓦斯化学株式会社
-
半導体ウェーハ処理液
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-103191
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る